नयाँ थ्रीडी मेमोरी आर्किटेक्चरले पुरानो क्यामेरा टेक्नोलोजीलाई एआई मेमोरी वाल मार्फत तोड्न पुनर्जीवित गर्दछ – NAND + DRAM हाइब्रिडले मेमोरीलाई सस्तो, छिटो र ‘असीमित सहनशीलता’ को साथ बनाउने वाचा गर्दछ।

यस हाइब्रिड आर्किटेक्चरको साथ, imec ले पहिले नै 4MHz भन्दा बढीको स्थानान्तरण गतिमा सफल चार्ज स्थानान्तरण प्रदर्शन गरिसकेको छ, तर यो अझै पनि प्रारम्भिक स्तरको प्रारम्भिक संख्यामा प्रयोग गरिएको प्रविधि हो। सैद्धान्तिक रूपमा, यसले व्यावसायिक चिपहरू 200 तहहरू पार गर्दै NAND मापन गर्न सक्षम हुनुपर्छ।

CCD आर्किटेक्चरले AI प्रशिक्षण क्लस्टरहरू र inference सर्भरहरू,

लाईक सर्भरहरूमा अत्यधिक गहन अनुप्रयोगहरूको लागि आदर्श बनाउँदै, NAND भन्दा पनि कम हुने पहिरन संयन्त्र र सहनशीलताको प्रतिज्ञा गरेको देखिन्छ। 3D CCD यन्त्रलाई ब्लक-लेभल डाटा पहुँच प्रदान गर्न डिजाइन गरिएको हो, जुन आधुनिक AI वर्कलोडहरूमा राम्रोसँग उपयुक्त छ,” भण्डारण मेमोरीका लागि कार्यक्रम निर्देशक मार्टेन रोज्मेलेनले थपे। class=”clear-both pt-2 pb-0 mb-4″>

अब के पढ्ने

“बफर मेमोरीको रूपमा प्रयोग हुने यो CCD यन्त्रको क्षमता 3D NAND फ्ल्यास स्ट्रिङ आर्किटेक्चरमा एकीकृत हुने क्षमतामा निहित छ – DRAM सीमाभन्दा धेरै टाढा जाने अनुमानित स्केलेबल, उच्च बिट घनत्व प्राप्त गर्ने सबैभन्दा लागत-प्रभावी तरिका। CXL Type-3 उपकरण, वा GPUs, CPUs र एक्सेलेटरहरू जडान गर्न उद्योग मापदण्डहरूको पालना गर्ने एउटा। यो एउटा महत्त्वपूर्ण विचार हो, हाइपरस्केलरहरू अब CXL तिर फर्केका छन् किनभने AI मोडेलहरू स्थानीय GPU हरूका लागि मात्र धेरै ठूला भएका छन्।

प्रोटोटाइप र अनुसन्धान उत्पादनको रूपमा, थर्मल व्यवहार, तह गणना स्केलिङ र निश्चित रूपमा वास्तविक-विश्व एकीकरण लगायत धेरै बाधाहरू पार गर्न बाँकी छ, तर यदि यो सफल भयो भने सबैभन्दा ठूलो लागत न्यूनीकरण गर्न मद्दत गर्न सक्छ। AI पूर्वाधार, DRAM।

अगाडि हेर्दै, imec ले प्रस्ताव गर्दछ कि अर्को चरणमा अवस्थित डिजाइनहरूलाई थप विकसित गर्नुको सट्टा पूर्ण रूपमा मेमोरी आर्किटेक्चरको पूर्ण रूपमा नयाँ वर्ग समावेश हुन सक्छ। पुल-दायाँ इनलाइन-लेआउट” data-bordeaux-image-check=”” id=”elk-cb297f09-d943-4f5c-b081-969d7725b795″>

<6p-widthse> class=”vanilla-image-block” style=”padding-top:31.51%;”>